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記事検索結果
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30年の炭化ケイ素(SiC)系は同10.8倍の4230億円、窒化ガリウム(GaN)系が同60.3倍の1085億円と大幅に伸びる予測を立てた。 &...
ナノレベル(ナノは10億分の1)の加工精度が求められる光学レンズ製造用金型や、扱いが難しい炭化ケイ素(SiC)金型などの生産効率を高める。 SiCや複...
パワーデバイス材料であるシリコンカーバイド(SiC)の基板上に2枚のグラフェン層を作ると、2枚のグラフェン層と基板との間にバッファー層と呼ばれるグラフェンによく似た炭素層が1枚できる。...
【奨励研究助成 若手研究者(レーザプロセッシング)】▽福島潤/東北大学工学部「無容器レーザプロセッシングによる新奇酸化物系白色蛍光体の創製」▽且井宏和/産業...
(総合1参照) 高速道路は15日18時時点で、上信越自動車道の松井田妙義IC―佐久IC間、中央自動車道の大月IC―八王子JCT間、西湘バイパスの早川IC―西湘二宮IC...
硬い微粒子を使うことで、第5世代通信(5G)基地局向け窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)ウエハーの研磨にも対応できる。
三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
今後も、社員の特許出願も推奨して、その実績に応じて申請したら報奨金が出るような仕組みづくりも整備していきたい」 「シリコンウエハー、パワー半導体基板、半...
今後成長が期待できるSiCパワー半導体で市場を開拓する。... エピ成膜装置は、SiCウエハー上に高品質のエピタキシャル膜を形成する装置。... フランコ・プレッティーLPE社長(写真)...
一般的な材料のシリコンはダイヤモンド刃で切断するが、SiCやGaNは難削材のため不向きという。... SiCは次世代半導体材料と目されるが、価格が普及の課題とされる。三菱電機は、同装置が生産性や歩留ま...
電力変換装置も炭化ケイ素(SiC)半導体を採用して体積を従来比45%減と小型化した。
ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスや絶縁ゲートドライバーを中心としたパワーソリューションを提供している。既に急速充電システム関係でSiCが採用されており、今後はメインインバータ...
【相模原】さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区、橋元雅敏社長、042・770・9119)は5日、インキュベーション施設の新棟「SIC―2 R&D L...
従来のシリコンや炭化ケイ素(SiC)基板と比べてダイヤモンドの熱伝導は優れるが、GaNとの熱膨張係数が違うため製造工程で不具合が発生しやすかった。
【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...
推進用モーターや装備品モーター、発電機などに向けた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体によるインバーターやDC(直流)/DCコンバーターなどを想定する。
パワー半導体の基板の素材にはセラミックスやSiC(炭化ケイ素)などが使われているが、「既存材料に比べガラスは安価」(西村宜幸事業本部本部長代理兼表面処理研究所所長)なの...
今後は技術革新とともに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代材料の採用も徐々に増えそうだ。 &...
