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記事検索結果
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絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会インフラ機器や鉄道向けに注力する」 ―民生品市場も堅調に推移する見通しです。 「ディス...
主に車載充電器や(駆動用モーターを制御する)トラクションインバーターなどに使われる」 【記者の目/シリコン製から置き換え強化】 ...
ただ現在は高効率な『第7世代IGBT』や、小型かつ低コストな『スリムDIP』の引き合いが好調。
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)も拡充する。IPMやマイコンを組み込み、IGBTを知能化する取り組みも始めた。... 当社の強みは既存のシリコンIGBTからSiCへそのまま...
【立川】三喜電機(東京都八王子市、三田喜孝社長、042・665・4100)は、パワー半導体デバイスなど絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のスイッチング試験に使...
また「薄ガラス基板」「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」は、サポインとは別枠で事業化を目指す。
現状のシリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、短絡までの時間が一般的に8マイクロ―10マイクロ秒(マイクロは100万分の1)。
自動車や家電などに搭載される絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けで、パワー半導体メーカーに提案する。 ... ソフィ―400は高エネルギー対応により、ウエ...
電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などで、デバイスの小型化・高効率化に貢献できる。... 一般的なIGBTで使われる絶縁回路基板やリー...
パワー半導体もショットキーバリアーダイオードだけでなく、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)も強化する。
組み立てや検査などの後工程では、長野県などの国内3拠点で自動車用の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールの生産ラインを増設。
同等の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールと比べて、スイッチング損失を約64%削減した。
インバーターに搭載するSiCデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを中心にサポートする。... ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSF...
ドイツの新拠点で取り扱うのは、インバーターに搭載するSiCパワーデバイスや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など、車載・産機向けの製品が中心となる。
中村泰三 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や中央演算処理装置(CPU)といった、キー部品の調達を担当する部門で、開発製品に使用される部品の選定や価格...
現在主流のSi―IGBTの高性能化につながる。... Si―IGBTを用いた電力制御システムの高効率化に寄与する。微細化による性能向上の実証により、次世代に向けて、Si―IGBTを引き続き使える見通し...
また自社開発の高耐圧・大電流IGBTパワー半導体を搭載して変換装置の部品数を減らし、設備の小型化と低コスト化を実現する。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。... これまでIGBTやパワーMOSFETの製...
小・中容量のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラートランジスタ)やMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)をマイコンから直接駆動できる。
