「足元のEUV用レジストはArF向けと同じ構造で、線幅7ナノ―5ナノメートル(ナノは10億分の1)を主用途と想定している。そうなると当然、これが3ナノメートル以下になれば新しい材料が必...

同コンソーシアムが線幅7ナノメートルのテストチップまで採用してきたフィン型の電界効果トランジスタ(FinFET=フィンフェット)構造に代わり、IBMが10年以上かけて研究してき...

先端半導体では2018年4―6月期に回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)の立体構造トランジスタ(FinFET)を投入する。また米ニューヨークの工場では、18年中...

線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)世代向けにフォトレジストをサンプル供給しており、2017年にも量産と販売を目指す。 ... EUVリソグラフィー技術は半導体の...

この投資により、7ナノメートル(ナノは10億分の1)の製造プロセスに対応する次々世代マイクロプロセッサーの生産が可能になるという。 ... ファブ42で生産される7ナ...

主に7ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターン向けで、複雑な描画に対応する。 ... 現在の半導体フォトマスクは、10ナノ―14ナノメートルの回路パターンが多...

少ない実装面積と高い計算能力、低消費電力を両立すべく、業界で最先端となる回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)、もしくは同10ナノメートルプロセスの採用を検討する。... 現在、...

ナガセインテグレックス(岐阜県関市、長瀬幸泰社長、0575・46・2323)は、送り分解能0・1ナノメートル(ナノは10億分の1)と超高精度の6軸同時制御の微細形状加工...

共同チームは、シリコン基板上に並べた直径約7ナノメートル(ナノは10億分の1)の球殻状たんぱく質(フェリチン)をマスクとして使い、寒川教授が開発した低損傷の中性粒子ビー...

産業技術総合研究所物質計測標準研究部門の渡辺博道主任研究員と物理計測標準研究部門の石井順太郎副研究部門長らは、可視光の99%以上を吸収するカーボンナノチューブ(CNT)膜を、立...

インダクタンス(磁束変化に対する抵抗)は0・3ナノ―2・7ナノヘンリー(ナノは10億分の1)までの25種類あり、年内に10ナノヘンリーまで拡充する。

これに合わせて「回路線幅が16ナノメートル(ナノは10億分の1)と7ナノメートルの先端品への投資を増やしている」(同)と説明した。

2017年にも線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)世代向けの量産を始める。 ... まずロジック向けに着手し、その後、5ナノメートル用の投入も模索する。 ...

半導体の性能を左右する回路線幅を7ナノメートル(ナノは10億分の1)まで細くできる。従来機種「S630D」は10ナノメートルまでの対応だった。... この多重露光においてカギを握るMM...

17年以降に7ナノメートル(ナノは10億分の1)世代向けの量産を始める方針を打ち出している。 12月3日、台湾のTSMCが7ナノメートル世代の試験生産を17年1―3月...

孔の直径は0・7ナノメートル(ナノは10億分の1)。

半導体大手の動きに合わせて、17年以降に7ナノメートル(ナノは10億分の1)世代向けの量産を始める方針を打ち出している。

関連事業の営業利益は同7・4%増の348億円に伸びた。 ... 17年にも、線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)世代向けの量産を始める。... 半導体大手...

プレート境界断層の浅い部分に似た環境・圧力条件を作り、太平洋プレートが陸側プレートに沈み込む速さに相当する毎秒2・7ナノメートル(ナノは10億分の1)で試料同士を滑らせた。

「7ナノメートル(ナノは10億分の1)」世代が対象で、19年には「5ナノメートル」向けに新規機構のレジストの量産を目指す。... 現行より2世代先の7ナノメートル世代向けに酸発生剤を使...