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記事検索結果
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名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは22日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)にイオンを注入して高品質の「p型GaN」を作製する手法を開発したと発表した。......
窒化ガリウム 他分野にも門戸広げる 名古屋大学は未来エレクトロニクス創成加速DII協働大学院プログラムで、窒化ガリウム(GaN)を用いたエレクトロニクス技術を...
次世代パワー半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)を活用し、システムの小型化や高効率化、大電力化を目指す。
【名古屋】名古屋大学は未来材料・システム研究所の新たな窒化ガリウム(GaN)研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス研究館(C―TECs)=写真」を開設した。隣...
高温・高耐圧対応を要する次世代自動車の車載向けに使う炭化ケイ素(SiC)のほか、将来は第5世代通信(5G)基地局など向けに極低温環境対応も求められる窒化ガリウム(...
三菱マテリアルは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの高温半導体素子を接合するための焼結型接合材料で、銅を使った2種類の材料を追加で開発した。
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
GaNはシリコンカーバイド(SiC)など従来の半導体材料に比べてエネルギー変換効率が高まり、輸送や発電などの用途に用いることで省エネルギー化できる。... モーターショー出展時は公道で...
ヘッドスプリングは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体を使い、小型で耐熱性があり、変換効率のよい変換器の開発・製造技術を持つ。
今後は蓄電池向けも期待できる」 ―次世代材料を使った窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の取り組み状況は。
そのため高周波出力のGaNを採用しないと、設備の小型化や省電力化が困難になる。 ... GaAsはGaNと同じく化合物半導体の技術だ。このため、既存の生産ラインをGaN用にも活用でき...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。TDKラムダは、初めてGaNを使って最新...
同製作所では、GaNをはじめとした化合物半導体の技術を培ってきた。高い周波数帯域を使う5GではGaN製が有利とされる。... 渡辺所長は「(GaN製と)GaAsとの共通設備が多い。
汎用性や拡張性を高め、従来機で難しかった半導体レーザーや、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの研究開発、少量生産用途などにも活用できる。
産業技術総合研究所の岸川諒子主任研究員と堀部雅弘研究グループ長と宇宙航空研究開発機構(JAXA)の川﨑繁男教授は、宇宙線ノイズに強い窒化ガリウム(GaN)を用いて高周波...
【極微量窒素検出】 SC―SEMは、既存のSEM―EDXでは困難な炭素化合物中の極微量窒素(500ppm以下)やp型GaN中のMg(100ppm程度)...
名古屋大学が次世代の半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)の研究体制を強化している。... 「世界初のGaNデバイスに特化したプロセスラインを築いた」(天野浩名大未来...
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
例えば半導体分野では基板材料として新たに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などが増えつつあるが、それらの切断などでもダイヤモンド工具が活躍している。 ...
GaNはそのLEDの主な材料として使われている。... 「既にSiCや横型のGaNデバイスが実用化されつつある中、差別化のために電気を基板に対して縦に流す『縦型GaNパワー半導体』を開発中だ。GaNの...
