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記事検索結果
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ヘッドスプリング(東京都品川区、星野修社長、03・5495・7957)は、窒化ガリウム(GaN)をあらかじめ組み込んだ実験用回路「GaN回路ブロック」を開発した。同ブロ...
また、SiCや窒化ガリウム(GaN)など硬質材料の割合もハイブリッド車などの普及に伴い増加傾向で、16年度には同社が扱う材料のうち20%が硬質材料だった。
「炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をベースにした次世代パワー半導体向けの電子回路の商用化に取り組んでいる。
昨年12月には米エフィシェント・パワー・コンバージョン(EPC)と協力し、ライダーのコア部品となる4ミリメートル角の窒化ガリウム(GaN)ICチップの回路デザインを開発...
須田さんは内閣府の大型産学連携プログラムにおけるGaN研究チームの代表者。GaNとSiCの両材料に詳しく、「公平な目でGaNの優位性を明らかにする」。 ウエハー、エピ、デバイスと統合...
三菱電機は12日、次世代移動通信システムに適用する、超広帯域の窒化ガリウム(GaN)製の増幅器を開発したと発表した。... デバイスは、高効率かつ低消費電力のGaN高電子移動度トランジ...
高温環境下で動作する炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など高温半導体素子をはじめ、高い熱伝導率が求められる発光ダイオード(LED)チップ向けに...
(敬称略) ▽テクノロジー部門優秀賞=新型ペダルシューズシステムでのパテントビジネス(大阪大学大学院・三上亮)▽ビジネス部...
日本は発光ダイオード(LED)の開発などでGaN素子の技術には蓄積があり、GaNウエハーの生産も世界トップシェア。... GaNパワー半導体では、シリコン基板上に横型のGaN系高電子移...
両機関は、16年度から始まった文部科学省の次世代半導体GaNの研究開発事業で連携しており、このプロジェクトを加速させる。 ... 天野教授のノーベル賞受賞につながった青色発光ダイオー...
SIPの「次世代パワーエレクトロニクス」では、SiCを筆頭に、次世代材料と目される窒化ガリウム(GaN)のほか、酸化ガリウムやダイヤモンドといった将来材料にも目を向ける。... GaN...
GaNはようやく事業が軌道に乗りそうな段階までこぎ着けた。... 大陽日酸は世界で3社しかいない、GaNなど化合物半導体製造装置メーカーだ。... 「GaNでお互いのために何ができるかをずっと検討して...
三菱電機は化合物半導体の窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの本格販売に乗り出す。... より高電圧で動作し、高出力を出せるGaNデバイスの需要が拡大するとみられている。...
英ダイアログ・セミコンダクターは、窒化ガリウム(GaN)を使った次世代半導体市場に本格参入する。GaNを使った、電力制御IC(パワーIC)のサンプル出荷を始めたと発表し...
また「次世代半導体材料である窒化ガリウム(GaN)を使った製品も拡充していく」(ヒーコック氏)という。
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)をベースにした次世代パワー半導体向けの電子回路。... これによりワイヤボンドなく、SiCやGaN製の半導体をベースにし、各...
SiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)といったウルフスピードの化合物半導体技術を獲得する。
