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すでに東芝初の3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリー量産拠点となる新第2製造棟が稼働し、協業の一歩を踏み出した。
期待を裏付けるのが、3D構造NANDの量産開始だ。 NANDの18年度までの設備投資額は、計8600億円。... ■3D構造NAND市場、中国スマホがけん引 3D構...
市場拡大が見込める3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーや、外部記憶装置の「SSD(ソリッドステートドライブ)」に経営資源を集中する。... 7月中に改装工事...
NAND型フラッシュメモリー事業については「世界シェア2位の競争力に加え、全体の市場成長も期待でき、売上高を伸ばせる」と指摘。
コンピューターと記憶装置の接続規格「シリアルATA」(SATA)6ギガbps(ギガは10億)に対応し、NAND型フラッシュメモリーの自社開発制御ICを搭載した。
投資を抑制する東芝にあって、半導体メモリーの一種である「NAND型フラッシュメモリー」には16年度から3年間で累計8600億円を投じる計画を掲げており、「銀行は成毛氏を推していた」(東芝の社外...
加えて、メモリーもDRAMの微細化が復活したほか、NANDでは3次元型が市場投入され、新不揮発メモリー技術もみえている。
外部記憶装置(ストレージ)用のNAND型と比べNOR型の市場は小さいが、車の電装化などで高信頼性のメモリー需要が高まると見ている。
米サンディスクの日本法人(東京都港区、小池淳義社長、03・4334・7100)は24日、NAND型フラッシュメモリーを使った外部記憶装置(ストレージ)で、寿命予測やロッ...
(編集委員・敷田寛明、後藤信之、下氏香菜子、政年佐貴恵) 【3事業を柱に】 不採算事業のリストラを経て、東芝...
東芝は2017年度にも、キヤノンと共同開発した次世代半導体露光装置をNAND型フラッシュメモリーの量産ラインに採用することを決めた。... 記憶素子を積層する3D(3次元&...
ナノインプリント装置が、東芝のNAND型フラッシュメモリーの量産ラインに導入されることになった。
渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を使って、縦型の強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を縦方向に直列接続する積層構造の論理回路を提案した。FeFE...
韓国ではスマートフォンの高機能化などでDRAMやNAND型フラッシュメモリーの搭載数が増え、キャパシターに使う高誘電体や電極材料などが伸長。
WDは、東芝とNAND型フラッシュメモリー事業で提携する米サンディスクを買収する計画を打ち出しており、東芝の技術が中国に流出する懸念が広がっていた。
東芝は2日、「NAND」型と呼ばれるフラッシュメモリー(記憶素子)の新工場を建設すると正式発表した。... 記憶素子を積層する3D(3次元)構造の先端NANDメモリーの...
取締役の小林実技師長は「大量のデータを一時的に保存するNAND型フラッシュメモリーやマイコンが主流になる。
一方、NANDフラッシュへの過度な依存は経営リスクでもある。... 専用棟とする方針を固めたのは3D構造NANDフラッシュへの自信の現れだ。 ... 3D構造NANDフラッシュの量産...
